技术团队根据这个技术方案也是迅速地找到了这个忆阻器的制备工艺，将石墨烯、硫氧化钼、石墨烯堆叠在一起形成具有原子级🅶平整度界🙎面的范德华异质结。
测🀟♨试结果显示这种🔈基于全二维材料的异质结能够实💪🔫🃡现非常稳定的开关，擦写次数超过千万次，擦写速度小于100纳秒，并且拥有很好的非挥发性。
如此高性能的异质结让设计出来的忆阻器阵列直接使用欧姆定律进行加法运算，使用基尔霍夫定律进行乘法运算，因而能够实现并行存内运算，从而模拟存内计算，实现速度和能效的大幅提升，减小误差，非常完美地实现了神经触突核心电😞🂢路的功能。
这个也是神经元计算机能够得以实现的关键所在。💪🔫🃡
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